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理工電子資料館

ETL Mark Ⅳ用磁気ドラム記憶装置

1957年、北辰電気製作所・東京通信工業・電気試験所製
記憶容量:1,000語(10進6桁)
平均アクセス時間:1.65 mS
回転数:18,000 rpm
クロックレート:180 kHz

 ETL Mark Ⅳの記憶装置。同機はETL Mark Ⅲの成果をもとに開発されたトランジスタ式の実用機で、その特徴の一つが機械部分を北辰電機製作所(現 横河電機)、磁気的な部分を東京通信工業(現 ソニー)が制作した磁気ドラム記憶装置です。(提供:産業技術総合研究所)

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